Пам ять та її види: Пам’ять — Вікіпедія

Содержание

Комп’ютерна пам’ять — Вікіпедія

Комп’ю́терна па́м’ять (англ. memory, storage) — функціональна частина комп’ютера, фізичний пристрій або середовище для зберігання даних протягом певного часу. В основі роботи запам’ятовувальних пристроїв може лежати будь-який фізичний ефект, що забезпечує приведення системи до двох або кількох стійких станів. У сучасних комп’ютерах часто використовуються фізичні властивості напівпровідників, коли проходження струму через напівпровідник або його відсутність трактується як наявність логічних сигналів 0 або 1. Стійкі стани, що визначаються напрямком намагніченості, дозволяють використовувати для зберігання даних різноманітні магнітні матеріали. Наявність або відсутність заряду в конденсаторі також може бути покладена в основу системи зберігання інформації.

Оперативна пам’ять вирізняється високою швидкодією (у 21-му столітті — сотні мегагерц) і низьким часом доступу (наносекунди), і призначена для оперативного зберігання даних у процесі роботи комп’ютерних програм. Типовими прикладами довготривалої пам’яті є тверді диски (вінчестери), дискети (гнучкі магнітні диски), CD або DVD диски, а також пристрої флеш-пам’яті.

Комп’ютерна пам’ять забезпечує підтримку однієї з найважливіших функцій сучасного комп’ютера — здатність тривалого зберігання інформації. Центральний процесор і пристрій, що запам’ятовує, є ключовими ланками так званої архітектури фон Неймана — принципу, закладеного в основу більшості сучасних комп’ютерів загального призначення.

Перші комп’ютери використовували пристрої, що запам’ятовують, виключно для зберігання оброблюваних даних. Їхні програми реалізовувалися на апаратному рівні у вигляді жорстких заданих виконуваних послідовностей. Будь-яке перепрограмування вимагало величезного обсягу ручної роботи з підготовки нової документації, перекомутації, перебудови блоків і пристроїв і т. п. Використання архітектури фон Неймана, що передбачає зберігання комп’ютерних програм і даних в загальній пам’яті, корінним чином змінило ситуацію.

Система зберігання інформації в сучасному цифровому комп’ютері заснована на двійковій системі числення. Числа, текстова інформація, зображення, звук, відео та інші форми даних представляються у вигляді послідовностей бітових рядків або бінарних чисел, кожне з яких складається зі значень 0 і 1. Це дозволяє комп’ютеру легко маніпулювати ними за умови достатньої ємності системи зберігання. Наприклад, для зберігання невеликої розповіді досить мати пристрій пам’яті загальним обсягом всього лише близько 8 мільйонів бітів (приблизно 1 Мегабайт).

Дотепер створено безліч різноманітних пристроїв, призначених для зберігання даних, багато з яких засновано на використанні різноманітних фізичних ефектів. Універсального рішення не існує, кожне має ті або інші недоліки. Тому комп’ютерні системи зазвичай мають кілька видів систем зберігання, основні властивості яких зумовлюють їх використання і призначення.

Залежно від призначення і особливостей реалізації пристроїв комп’ютерної пам’яті по-різному підходять і до питань їхньої класифікації.

Так, при розгляді віддаленості і доступності пам’яті для центрального процесорного пристрою розрізняють первинну (Оперативна пам’ять), вторинну і третинну пам’ять.

Здатність або нездатність до зберігання даних в умовах відключення зовнішніх джерел живлення визначають енергонезалежність або енергозалежність пристроїв зберігання даних.

Особливості механізмів читання-запису відрізняють пристрої пам’яті тільки для зчитування (абр. ПЗП, англ. ROM), доступні для разового запису і безлічі прочитувань (WORM) або придатні для повноцінного виконання операцій зчитування-запису. Порядок вибірки визначає пам’ять довільного або послідовного доступу з блоковою або файловою адресацією.

Втім, досить часто до питання класифікації підходять простіше, наприклад, розрізняючи пристрої залежно від використовуваного типу носія — напівпровідникова пам’ять, оптична пам’ять, магнітооптична пам’ять, магнітна пам’ять і таке інше.

Різні типи пам’яті мають різні переваги, тому в більшості сучасних комп’ютерів використовуються відразу декілька типів пристроїв зберігання даних.

Первинна чи вторинна?[ред. | ред. код]

Первинна пам’ять характеризується найбільшою швидкістю доступу. Центральний процесор має прямий доступ до пристроїв первинної пам’яті; іноді вони навіть розміщуються на одному і тому ж кристалі.

У традиційній інтерпретації первинна пам’ять містить активно використовувані дані (наприклад, програми, що працюють в даний час, а також дані, що обробляються в даний час). Зазвичай буває високошвидкісна, відносно невелика, енергозалежна (не завжди). Іноді її називають основною пам’яттю.

Вторинна пам’ять також називається периферійною. У ній зазвичай зберігається інформація, яка не використовується в даний час. Доступ до такої пам’яті відбувається повільніше, проте обсяги такої пам’яті можуть бути в сотні і тисячі разів більшими. В більшості випадків ця пам’ять енергонезалежна.

Проте таке розділення не завжди можливе. Як основна пам’ять може використовуватися диск з довільним доступом. А вторинною пам’яттю іноді називають ту, яку можна відключити від комп’ютера, наприклад стрічкові накопичувачі.

Енергозалежність[ред. | ред. код]

Див. також: Енергозалежна пам’ять, енергонезалежна пам’ять

Енергозалежна пам’ять втрачає свій вміст після відімкнення живлення.

Незалежна пам’ять може довго зберігати вміст після відімкнення джерела струму, як правило, понад десятків років.

Довільний або послідовний доступ?[ред. | ред. код]

ЗП з довільним доступом відрізняються можливістю передати будь-які дані у будь-який час. Оперативна пам’ять комп’ютера (ОЗП) і вінчестер — приклади такої пам’яті.

ЗП з послідовним доступом, навпаки, можуть передавати дані тільки в певній послідовності. Стрічкова пам’ять і деякі типи флеш-пам’яті мають такий тип доступу.

Блоковий чи файловий доступ?[ред. | ред. код]

На вінчестері, використовуються 2 типи доступу. Блоковий доступ припускає, що вся пам’ять розділена на блоки однакових розмірів з довільним доступом. Файловий доступ використовує абстракцію — теки з файлами, в яких зберігаються дані. Інший спосіб адресації — асоціативна адресація — використовує алгоритм хешування для визначення адреси.

Типи запам’ятовувальних пристроїв[ред. | ред. код]

Станом на 2011 рік, найбільш використовуваною технологією зберігання даних є напівпровідники, магнітні стрічки та оптичні, в той час як папір все ще залишається в обмеженому використанні . Медіа — це загальна назва для того, що насправді зберігається в пристрої. Деякі інші фундаментальні технології зберігання також використовувалися в минулому або потребують розвитку.

Напівпровідниковий[ред. | ред. код]

Плата напівпровідникової пам’яті

Напівпровідниковий запам’ятовуючий пристрій використовує напівпровідникові мікросхеми для зберігання інформації. Такий пристрій може містити мільйони крихітних транзисторів або конденсаторів. Існують енергозалежні і енергонезалежні форми напівпровідникової пам’яті. У сучасних комп’ютерах первинне зберігання майже виключно складається з динамічної енергозалежної напівпровідникової пам’яті або динамічної пам’яті з довільним доступом. З початку століття тип енергонезалежної напівпровідникової пам’яті, відомої як флеш-пам’ять, стабільно збільшила свою частку на ринку офф-лайн сховищ для домашніх комп’ютерів. Незалежний напівпровідниковий запам’ятовуючий пристрій також використовується для вторинного зберігання в різних сучасних електронних пристроях і спеціалізованих комп’ютерах.

Уже у 2006 році виробники ноутбуків і настільних комп’ютерів почали використовувати твердотільні флеш-накопичувачі (SSD) в конфігурації за замовчуванням для вторинного зберігання або в додаток чи замість більш традиційних HDD.

Магнітний[ред. | ред. код]

Комп’ютери із магнітними стрічками

Магнітний запис використовує різні моделі намагніченості на поверхні магнітного покриття для зберігання інформації. Магнітне зберігання є енергонезалежним. Інформація доступна за допомогою однієї або більше головки читання/запису, які можуть містити один або більше записувальних перетворювачів. Головка читання/запису покриває тільки частину поверхні таким чином, що голова, або носій, або обидва повинні бути зміщені по відношенню до іншого, щоб отримати доступ до даних. У сучасних комп’ютерах, магнітна пам’ять буде приймати такі форми:

Магнітний диск
- Дискета, використовувана для зберігання в автономному режимі
- Жорсткий диск, який використовується для вторинного зберігання
Накопичувачі на магнітній стрічці, використовуваний для третинної і офф-лайн зберігання
Carousel пам’яті (магнітні валки)

У ранніх комп’ютерах, накопичувач на магнітних також використовується для:

Первинного зберігання у вигляді магнітної пам’яті або оперативної пам’яті, пам’яті ядра, тонкоплівкової пам’яті і/або твісторної пам’яті^[en].
Третинного (наприклад, NCR CRAM) або від зберігання лінія у вигляді магнітних карт.
Магнітна стрічка часто використовувалася для вторинного зберігання.

Оптичний[ред. | ред. код]

Приклад оптичного носія (CD диск)

Оптичний запам’ятовувальний пристрій, наприклад, типовий оптичний диск, зберігає інформацію в деформаціях на поверхні круглого диска і зчитує цю інформацію шляхом висвітлення поверхні з лазерним діодом і спостерігаючи віддзеркалення. Зберігання оптичних дисків є енергонезалежним. Деформації можуть бути постійними (тільки для зчитування інформації), формуються один раз (для одноразового запису носія) або з багатошаровим покриттям (для багаторазового перезапису носіїв). Наразі в загальному користуванні є такі види дисків:

CD, CD-ROM, DVD, BD-ROM: Тільки для читання інформації. Використовується для зберігання цифрової інформації (музика, відео, комп’ютерні програми)
CD-R, DVD-R, DVD+R, BD-R: Носії з одноразовим записом, використовується для третинного і офф-лайн зберігання
CD-RW, DVD-RW, DVD+RW, DVD-RAM, BD-RE: Повільне записування, швидке зчитування інформації, використовується для третинного і офф-лайн зберігання
Ultra Density Optical або UDO аналогічний за розміром до BD-R або BD-RE. Повільне записування, швидке зчитування інформації, використовується для третинного і офф-лайн зберігання

Магніто-оптичний диск — це оптичний диск для зберігання, де магнітна область на феромагнітній поверхні зберігає інформацію. Інформація зчитується оптично і записуються шляхом комбінування магнітних і оптичних методів зберігання. Магніто-оптичний диск є енергонезалежним носієм із послідовним доступом, повільним записом та швидким зчитуванням. Використовується для третинного і офф-лайн зберігання.

Також було запропоновано зберігання оптичних даних 3D.

Папір[ред. | ред. код]

Перфокарта — носій інформації з тонкого картону

Зберігання даних на папері, як правило, у вигляді паперової стрічки або перфокарт вже давно використовується для зберігання інформації для автоматичної обробки, зокрема, до появи комп’ютерів загального призначення. Інформація записувалася шляхом пробивання отворів в папері або картоні і зчитувалася механічно (або пізніше оптично), щоб визначити, чи є конкретне місце на носії з отвором або без нього. Деякі технології дозволяють людям робити позначки на папері, які легко зчитуються машиною. Штрих-коди зробили можливим для будь-якого об’єкта, який повинен був бути проданий або транспортований, мати деяку зчитувану машиною інформацію яку не можуть прочитати інші.

Інші пристрої пам’яті[ред. | ред. код]

Пам’ять на основі електронно-променевої трубки[ред. | ред. код]

У ранніх комп’ютерах використовувались трубки Вільямса — спеціальний різновид електронно-променевої трубки, а також лампи типу Selectron^[en]. Ці пристрої не довго протрималися на ринку, оскільки трубки Вільямса були ненадійними, а лампи Selectron — надто дорогими.

Електро-акустична пам’ять[ред. | ред. код]

Пам’ять на лініях затримки використовувала звукові хвилі в речовинах, таких як ртуть для зберігання інформації. Пам’ять на лініях затримки була динамічно мінливою, із послідовним циклом читання / запису. Використовувалася для первинного зберігання.

Оптична стрічка[ред. | ред. код]

Є середовищем для оптичного зберігання, як правило, складається з довгої і вузької смуги пластика, на якому інформація може бути записана або зчитана. Він розділяє деякі технології з кіноплівки і оптичних дисків але не сумісний ні з одним. Мотивацією розробки цієї технології була можливість набагато більших потужностей для зберігання, ніж на будь-який магнітній стрічці або оптичному диску.

Пам’ять зі зміною фази[ред. | ред. код]

Використовує різні механічні фази матеріалу зі змінними фазами для зберігання інформації в адресованій матриці X-Y, і зчитує інформацію, спостерігаючи зміни електричного опору матеріалу. Пам’ять зі зміною фази є незалежною, з довільним доступом читання для зберігання / запису, і може бути використана для первинного, вторинного і офф-лайн зберігання. Більшість багатозчитуваних дисків, та дисків одиничного запису вже використовують зміни фази матеріалу для зберігання інформації.

Голографічна пам’ять[ред. | ред. код]

Зберігає інформацію оптично всередині кристалів або фотополімерів. Голографічні зберігання можуть використовувати весь обсяг носія інформації, на відміну від оптичного диску, який обмежений невеликою кількістю поверхневих шарів. Голографічне зберігання є незалежним, із послідовним доступом, і одноразовим записом або багаторазовим читанням / записом для зберігання даних. Це може бути використано для вторинного і офф-лайн зберігання. Див Голографічний Versatile Disc (HVD).

Молекулярна пам’ять[ред. | ред. код]

Зберігає інформацію в полімер, який може зберігати електричний заряд. Молекулярний обсяг пам’яті може особливо підходити для первинного зберігання. Теоретична ємність накопичувача молекулярної пам’яті становить 10 терабіт на квадратний дюйм.^{[джерело?]}

Споріднені технології[ред. | ред. код]

Основні статті: дзеркалювання^[1]диска і RAID

Дивіться також: реплікація носія^[2]

У той час як несправність групи бітів може бути усунена шляхом виявлення і корекції помилок механізмів, несправність пристрою зберігання даних вимагає інших рішень. Наступні рішення зазвичай використовуються для більшості пристроїв зберігання:

Дзеркальне копіювання пристроїв (реплікація). Звичайне рішення проблеми: постійно зберігати ідентичну копію вмісту пристрою на іншому носії (зазвичай з одного і того ж типу). Недоліком є те, що це подвійне зберігання, і обидва пристрої (копії) повинні бути записані одночасно з деякими витратами і, можливо, затримками. Перевагою є можливість одночасного зчитування однієї групи даних двома незалежними процесами, що підвищує продуктивність. Коли на одному з реплікованих пристроїв виявляється дефект, інша копія все ще діє і використовується для створення нової копії на іншому пристрої.
Масив незалежних дисків (RAID). Цей метод узагальнює дзеркалювання пристроїв, відображене вище, дозволяючи одному пристрою в групі з N пристроїв допустити помилку і відновити вміст, замінивши його (дзеркалювання — це RAID, де N = 2). RAID-групи, де N = 5 або N = 6 є звичайними. N> 2 зберігає місце, у порівнянні з N = 2, за рахунок додаткової обробки як під час звичайної роботи (часто зі зниженою продуктивністю) і заміни дефектного пристрою.

Дзеркалювання пристроїв і типові RAID призначені для обробки одиничної відмови пристрою в RAID-групі пристроїв. Однак, якщо друга невдача відбувається до того, як група RAID повністю відновлена з першої відмови, то дані можуть бути втрачені. Імовірність відмови одного пристрою, як правило, невелика. Таким чином, ймовірність двох невдач в тій же RAID групі водночас значно менше (приблизно ймовірність в квадраті, тобто, помножена на себе). Якщо база даних не може терпіти навіть таку меншу ймовірність втрати даних, то сама група RAID тиражується (дзеркалюється). У багатьох випадках таке дзеркальне відображення реалізується географічно віддалено, в іншому масиві зберігання, для обробки і відновлення після стихійних лих.

Підключення до мережі[ред. | ред. код]

Вторинний або третинний носій може бути підключеним до комп’ютера за допомогою комп’ютерних мереж. Ця концепція не відноситься до основної системи зберігання, розділеної, меншою мірою, між декількома процесорами.

Direct-attached storage^[en] (DAS) є традиційним для зберігання накопичувача, який не використовує будь-якої мережі. Це досі найпопулярніший підхід. Цей ретронім був розроблений разом з NAS і SAN.
Network-attached storage (NAS) є запам’ятовуючий пристрій, підключений до комп’ютера, за допомогою якого інший комп’ютер може отримати доступ до файлів локальною мережею, приватною глобальною мережею або в разі онлайн-зберігання файлів через Інтернет. NAS зазвичай асоціюється з NFS і протоколами CIFS / SMB.
Мережа зберігання даних (англ. Storage area network, SAN) є спеціалізованою мережею, яка надається іншим комп’ютерам зі своєю пам’яттю. Архітектурне рішення для підключення до серверів зовнішніх пристроїв зберігання інформації, таких як дискові масиви, стрічкові бібліотеки, оптичні накопичувачі. Реалізується таким чином, щоб Операційна система розпізнала підключені ресурси як локальні. SAN зазвичай асоціюється з мережами Fibre Channel.

Роботизоване зберігання[ред. | ред. код]

Великі кількості окремих магнітних стрічок, оптичних або магнітооптичних дисків можуть зберігатися в роботизованих теоретичних запам’ятовуючих пристроях. В ділянці зберігання на магнітній стрічці вони відомі як стрічкові бібліотеки, така ж система і в оптичних музичних автоматах за аналогією. Найменші форми або технології цього типу містять тільки один диск та автозавантажувач^[3]або чейнджер.

Роботизований пристрій зберігання даних може мати кілька слотів, кожен із яких містить окремі дані і, як правило, один або кілька збиральних роботів, які під’єднують вбудовані диски та завантажують з них інформацію . Розташування слотів і збирання пристроїв впливає на продуктивність. Важливими характеристиками такого зберігання є можливі варіанти розширення: додавання слотів, модулів, приводів, роботів. Стрічкові бібліотеки можуть мати від 10 до більше ніж 100 000 слотів і забезпечують терабайт або петабайт інформації. Оптичні музичні автомати мають дещо менші рішення, до 1000 слотів.

Роботизована пам’ять використовується для зберігання резервних копій і для архівів з високою пропускною здатністю в графічних, медичних та відеоіндустрії. Ієрархічне управління носіями є найбільш відомою стратегією архівування. Великі невикористовувані файли автоматично мігрують з швидкого зберігання на жорсткому диску до бібліотеки або музичного автомату. Якщо файли потрібні — вони витягуються назад на диск.

↑ Disk mirroring. Wikipedia, the free encyclopedia (en). 2016-04-16. Процитовано 2016-06-15.
↑ Replication (computing). Wikipedia, the free encyclopedia (en). 2016-03-28. Процитовано 2016-06-15.
↑ Tape library. Wikipedia, the free encyclopedia (en). 2016-04-11. Процитовано 2016-06-15.

Память // Словарь компьютерных терминов = Dictionary of Personal Computing / Айен Синклер ; Пер. с англ. А.Помогайбо — Москва: Вече, АСТ, 1996. — С. 177, ISBN 5-7141-0309-2.
Вакуленко М. О. Тлумачний словник із фізики. — : ВПЦ «Київський університет», 2008. — 767 с.

Види пам’яті людини

Вся багатогранність життя і діяльності людини неможлива без пам’яті. Існуючі типи та види пам’яті людини обумовлені накопиченим досвідом та особливостями діяльності індивіда. Типи пам’яті визначаються індивідуальними особливостями особистості, а ось види виділяють за характером цілей діяльності, а також тривалості фіксації і збереження матеріалу.

Які бувають види пам’яті?

З часу резервування інформації виділяють:

миттєву пам’ять – найпростіший вид. Вона забезпечує зберігання інформації тільки в ході її сприйняття;
короткочасну пам’ять. Вона дає можливість зберегти дані приблизно на 30-40 секунд з моменту їх отримання. Цей вид пам’яті характеризується максимальним числом символів, образів та об’єктів, які індивід здатний відтворити протягом однієї хвилини з моменту отримання. Коли вона заповнюється на 10 одиниць, відбувається заміщення, тобто нові дані замінюють старі з безслідним вилученням останніх;
оперативна пам’ять покликана зберегти дані на певний період часу. Частіше всього через кілька хвилин або днів після отримання інформації, дані з оперативної пам’яті починають стиратися;
виділяють і такий вид пам’яті людини у психології, як довгостроковий. Тут інформація зберігається довго, але щоб людині її відтворити, потрібно докласти зусилля і запустити розумовий процес. Саме цією пам’яттю люди найчастіше користуються;
зберігання генетичної пам’яті здійснюється в генах і передається у спадок.

Пам’ять людини, її особливості та види у відповідності з цілями діяльності

Мова йде про мимовільної та довільної пам’яті. Якщо людина щось запам’ятовує чи пригадує, не маючи для цього спеціальної мети, то працює мимовільна пам’ять. Якщо ж індивід ставить за мету запам’ятати якийсь матеріал, то говорять про довільної пам’яті. У цьому випадку запам’ятовування і відтворення можливо завдяки спеціальним, мнемическим дій. Саме ці два види забезпечують послідовний розвиток пам’яті в цілому. Роль мимовільної пам’яті в людському житті важко переоцінити, адже саме вона забезпечує формування основної частини життєвого досвіду.

Однак, нерідко людина вдається до необхідність керувати своєю пам’яттю. Довільна пам’ять, що дає йому можливість щось навмисно запам’ятати, завчити, щоб потім використовувати тоді, коли це необхідно.

Які ще види пам’яті існують у людини?

Говорячи про види, не можна не відзначити типи пам’яті, які визначаються індивідуальними особливостями психіки людини. Розрізняють зорову, слухову, нюхову, дотикальну, емоційну та інші типи. Всі вони функціонують в органічному єдності і окремо не зустрічаються. Бувають люди, у яких сильно розвинена якась певна пам’ять – у художників зорова, а у музикантів слухова, але у більшості вони функціонують разом.

Причому в психології види пам’яті людини крім того, що вони є індивідуальними, в кожному окремому випадку можуть бути довільними чи мимовільними, короткочасними, або довготривалими і т. д. Рухова, образна, слухова і інші типи не можуть існувати окремо ще й тому, що між собою з’єднані насамперед ідентичні характеристики предметів і явищ навколишнього світу, а значить і форми їх відображення.

Непрості спадкоємні зв’язки можна простежити між мимовільною і довільною пам’яттю, а короткочасна і довготривала пам’ять є двома стадіями одного процесу. Все починається з короткочасної пам’яті, минаючи яку інформація йде в довготривалу пам’ять.

« Функції пам’яті
Типи пам’яті »

18.Класифікація і види памяті

Виділяють
такі види пам’яті за методом запам’ятовування:

мимовільна
— інформація запам’ятовується без
спеціальних прийомів заучування, під
час виконання діяльності або роботи з
інформацією.

довільна
— цілеспрямоване заучування за допомогою
спеціальних прийомів. Ефективність
запам’ятовування залежить від прийомів
та цілей запам’ятовування;

За
характером переважаючої психічної
активності:

рухова
— пам’ять на рухи та їх системи;

емоційна
— пам’ять на почуття, які виступають
стимулом до діяльності;

образна
— пам’ять на уявлення: зорова, слухова,
нюхова, смакова, дотикова;

словесно-логічна
— специфічна людська, запам’ятовується
думка у формі понять.

За
тривалістю збереження інформації:

сенсорна
пам’ять триває 0,2 — 0,5 секунди, дозволяє
людині орієнтуватися в оточенні.

короткочасна
пам’ять забезпечує запам’ятовування
одноразової інформації на короткий
проміжок часу — від кількох секунд до
хвилини;

довготривала
пам’ять — збереження інформації протягом
тривалого часу;

оперативна
пам’ять — проявляється під час виконання
певної діяльності і необхідна для її
виконання в кожний заданий проміжок
часу.

Короткочасна
пам’ять є практично повністю автоматичною
і працює без будь-якої свідомої установки
на запам’ятовування. Людина може охопити
поглядом близько семи предметів,
запам’ятовуючи у середньому від п’яти
до дев’яти одиниць інформації, які вона
спроможна точно відтворити через кілька
десятків секунд після їхнього пред’явлення.
Тому обґрунтовано вважають, що обсяг
короткочасної пам’яті становить (7±2)
елементи.

Довготривала
пам’ять забезпечує людині тривале
збереження знань, умінь і навичок, що
потрібні в житті. Різновидом довготривалої
пам’яті є автобіографічна пам’ять[1]
Встановлено що інформація найкраще
запам’ятовується, якщо до неї повертатися
через визначені проміжки часу. Перший
становить 15-20 хв, що зв’язано з роботою
короткочасної пам’яті. Через дві години
в людини включаються функції довгострокової
пам’яті. Найкраще повернутися до вивченого
через вісім годин і через добу. Якщо ж
матеріал не повторювати, він буде
сприйматися як новий.

Виявляється,
що пам’ять не локалізована в якійсь
конкретній частині мозку; вона може
залежати від зміни шляхів, якими проходять
нервові імпульси при їхньому поширенні
в мозку. Пам’ять можна тренувати шляхом
постійного використання так, щоб між
нервовими клітинами (нейронами) мозку
установилися чіткі зв’язки. Події, що
запам’ятовуються в короткочасній
пам’яті, швидко забуваються, у той час
як події, що залишилися в довготривалій
пам’яті, запам’ятовуються надовго і
можуть бути відновлені через багато
років.

19.Процеси і закономірності памяті

Пам’ять
має обмежений обсяг.

Успішність
відтворення великого обсягу матеріалу
залежить від характеру розподілу
повторень у часі.

Має
місце така закономірність, як крива
забування.

Закони
пам’яті

Закон
пам’яті Практичні прийоми реалізації

Закон
інтересу Цікаве запам’ятовується легше.

Закон
осмислення Чим глибше усвідомити
запоминаемую інформацію, тим краще вона
запам’ятається.

Закон
установки Якщо людина сама собі дав
установку запам’ятати інформацію, то
запам’ятовування відбудеться легше.

Закон
дії Інформація, що бере участь у
діяльності (тобто якщо відбувається
застосування знань на практиці)
запам’ятовується краще.

Закон
контексту При асоціативному зв’язуванні
інформації з уже знайомими поняттями
нове засвоюється краще.

Закон
гальмування При вивченні схожих понять
спостерігається ефект «перекриття»
старої інформації нової.

Закон
оптимальної довжини ряду Довжина
запоминаемого ряду для кращого
запам’ятовування не повинна набагато
перевищувати обсяг короткочасної
пам’яті.

Закон
краю Найкраще запам’ятовується
інформація, представлена на початку
і в кінці.

Закон
повторення Найкраще запам’ятовується
інформація, яку повторили кілька разів.

Закон
незавершеності Найкраще запам’ятовуються
незавершені дії, завдання, недомовлені
фрази і т.д.

Процеси
пам’яті

Запам’ятовування
— це процес пам’яті, за допомогою якого
відбувається запечатление слідів,
введення нових елементів відчуттів,
сприйняття, мислення чи переживання в
систему асоціативних зв’язків. Основу
запам’ятовування становить зв’язок
матеріалу з сенсом в одне ціле. Встановлення
смислових зв’язків — результат роботи
мислення над змістом запам’ятовується.

Зберігання
— процес накопичення матеріалу в структурі
пам’яті, що включає його переробку і
засвоєння. Збереження досвіду дає
можливість для навчання людини, розвитку
її перцептивних (внутрішніх оцінок,
сприйняття світу) процесів, мислення й
мови.

Відтворення
і впізнавання — процес актуалізації
елементів минулого досвіду (образів,
думок, почуттів, рухів). Простий формою
відтворення є впізнавання — впізнання
сприйманого об’єкта чи явища як вже
відомого по минулому досвіду, встановленням
подібностей між об’єктом і способом
його в пам’яті. Відтворення буває
довільним і мимовільним. При мимовільному
образ спливає в голові без зусиль людини.

Якщо
в процесі відтворення виникають труднощі,
то йде процес пригадування. Відбір
елементів, потрібних з точки зору
необхідної задачі. Відтворена інформація
не є точною копією того, що відображене
в пам’яті. Інформація завжди перетворюється,
перебудовується.

Забування
— втрата можливості відтворення, а іноді
навіть впізнавання раніше запомненного.
Найбільш часто забуваємо те, що незначимо.
Забування може бути частковим (відтворення
не повністю або з помилкою) і повним
(неможливість відтворення і впізнавання).
Виділяють тимчасове і тривалий забування

Оперативна пам’ять — Вікіпедія

Модулі оперативної пам’яті ПК з радіаторами (DDR2)

Оперативна пам’ять — швидкодійна пам’ять, призначена для запису, зберігання та читання інформації у процесі її обробки.

В обчисленні, пам’ять належить до комп’ютерних пристроїв, що використовуються для зберігання інформації для негайного використання в комп’ютері; вона є синонімом терміна «первинне зберігання». Комп’ютерна пам’ять працює на високій швидкості, наприклад, оперативна пам’ять (RAM), на відміну від зберігання, що забезпечує зберігання даних та повільно-доступних програм, пропонує більш високі можливості. При необхідності, вміст пам’яті комп’ютера може бути переданий у вторинне сховище, за допомогою технології управління пам’яттю під назвою «віртуальна пам’ять». Архаїчний синонім пам’яті — сховище.^[1]

Термін «пам’ять», що означає «первинне сховище» або «основну пам’ять», часто асоціюється з адресацією напівпровідникової пам’яті, тобто інтегральних схем, що складаються з транзисторів на основі кремнію, що використовуються, наприклад, як первинне зберігання, але також і в інших цілях в комп’ютерах та інших цифрових електронних пристроях. Є два основні типи напівпровідників пам’яті, летючі і нелетючі. Приклади незалежної пам’яті — це флеш-пам’ять (використовується як вторинна пам’ять) і ROM, PROM, EPROM і EEPROM (використовуються для зберігання прошивки, такі як BIOS). Прикладом незалежної пам’яті є первинне зберігання (як правило, динамічне RAM, DRAM) і швидкий процесор кеш-пам’яті (зазвичай статична оперативна пам’ять RAM, SRAM, яка є швидкою, але енергоємною, і пропонує меншу ємність пам’яті на одиницю площі, ніж DRAM).

Найбільший напівпровідниковий запам’ятовуючий пристрій складається з комірок пам’яті або бістабільних тригерів, кожен з яких зберігає один біт (0 або 1). Організація флеш-пам’яті включає в себе як один біт на комірку пам’яті, так і кілька бітів на клітинку (так звані ДОК, кілька осередків). Осередки пам’яті згруповані в слова фіксованої довжини, наприклад, 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64 або 128 біт. Кожне слово можна отримати за допомогою довічної адреси N біт. Це означає, що регістри процесора зазвичай не розглядаються як пам’ять, так як вони тільки зберігають одне слово і не включають в себе механізм адресації.

Типові вторинні пристрої зберігання жорстких дисків і твердотільних накопичувачів.

На початку 1940-х, технології пам’яті обмежувалися переважно ємністю в кілька байтів. Перший електронний програмований цифровий комп’ютер, ENIAC, використовуючи тисячі вісімкових радіоламп, міг виконувати прості обчислення, що включали 20 десятків десяткових цифр, які були проведені у акумуляторах вакуумних ламп.

Наступні кроки в розвитку комп’ютерної пам’яті прийшли з пам’яттю акустичної лінії затримки, розробленої Дж. Преспером Еккертом на початку 1940-х років. Через будівництво скляної трубки, заповненої ртуттю і підключеному на кожному кінці кристалу кварцу, лінії затримки можуть зберігати біт інформації у вигляді звукових хвиль, що поширюються в ртуті, з кварцовими кристалами, яка виступає як вимірювальні перетворювачі, щоб читати і писати біти. Лінія затримки пам’яті буде мати обмежену потужність таку, щоб до декількох сотень тисяч біт залишатися ефективною.

Дві альтернативи до лінії затримки, трубка Вільямса і трубка Селектрона^[en], виникли в 1946 році, використовуючи електронні пучки в скляних трубках як засіб зберігання. Використовуючи електронно-променеві трубки, Фред Вільямс винайде трубку Вільямса, яка стане першою пам’яттю комп’ютера довільного доступу. Трубки Вільямса виявляться більш ємними, ніж трубки Селектрона (Селектрон був обмежений до 256 біт, в той час як трубки Вільямса можуть зберігати тисячі), і дешевшими. Труба Вільямса, тим не менш виявиться гнітюче чутливою до екологічних порушень.

Зусилля почалися наприкінці 1940-х років під час спроб знайти незалежну пам’ять. Джей Форрестер, Ян А. Рейчмен^[en] і Ан Ванг^[en] розробили пам’ять на магнітних осердях, що дозволило відкликати пам’ять після відключення живлення. Пам’ять на магнітних осердях стане домінуючою формою пам’яті до розвитку пам’яті на основі транзистора наприкінці 1960-х років.

Зміни в технології та економії на масштабі зробили можливими так звані Very Large Memory Computers (комп’ютери з дуже великою пам’яттю).^[2]

Термін «пам’ять» при використанні з посиланням на комп’ютери в цілому відноситься до пам’яті довільного доступу або оперативної пам’яті.

Енергозалежна пам’ять[ред. | ред. код]

DDR-SD-RAM, SD-RAM і 2 старіші форми RAM.

Енергонезалежна комп’ютерна пам’ять, яка вимагає потужності для підтримки збереженої інформації. Більшість сучасної напівпровідникової незалежної пам’яті або статичні RAM (SRAM) або динамічні RAM (DRAM). SRAM зберігає свій вміст, поки живлення підключене і легке для взаємодії, але використовує шість транзисторів на біт. Динамічна оперативна пам’ять складніша для взаємодії і управління, і потребує регулярних циклів оновлення для запобігання втрати його вмісту, але використовує тільки один транзистор і один конденсатор на біт, що дозволяє досягти значно вищої щільності і дешевшої витрати на біт.

SRAM не підходить для робочого столу системної пам’яті, де домінує DRAM, але використовується для кешу. SRAM є звичайною справою в невеликих вбудованих системах, які, можливо, потребують тільки десятки кілобайт або менше. Майбутні летючі технології пам’яті, які сподіваються замінити або конкурувати з SRAM і DRAM і включають Z-RAM^[en] та A-RAM^[en].

Енергонезалежна пам’ять[ред. | ред. код]

Твердотільні диски є одними з новітніх форм незалежної пам’яті.

Енергонезалежна пам’ять комп’ютера може зберегти інформацію навіть тоді, коли не працює. Приклади незалежної пам’яті включають пам’ять тільки для читання (див. ROM), флеш-пам’ять, більшість типів магнітних комп’ютерних пристроїв зберігання (наприклад твердий диск, дискета та магнітна стрічка), оптичні диски, і початкові методи комп’ютерного зберігання, такі як перфострічки і перфокарти.

Майбутні енергонезалежні технології пам’яті включають FRAM, CBRAM^[en], PRAM, SONOS^[en], RRAM, бігова пам’ять, NRAM^[en] і IBM Millipede.

Правильне управління пам’яттю є життєво важливим для комп’ютерної системи, щоб працювати правильно. Сучасні операційні системи мають складні системи, щоб належним чином управляти пам’яттю. Невиконання цієї вимоги може призвести до помилок, низької продуктивності, а в гіршому випадку, приєднання до вірусів і шкідливого програмного забезпечення.

Майже всі програмісти повинні розглянути, як управляти пам’яттю. Навіть збереження номера в пам’яті вимагає від програміста вказати, як пам’ять повинна зберігати його.

Помилки управління пам’яттю[ред. | ред. код]

Неправильне керування пам’яттю є поширеною причиною помилок, включаючи наступні типи:

Арифметичне переповнення відбувається, коли над коміркою пам’яті виконується операція, результат якої не поміщається в комірку. Наприклад, 8-бітове ціле число зі знаком дозволяє зберігати цілі числа від -128 до +127. Якщо його значення дорівнює +127, і комп’ютеру доручити збільшити його на одиницю, то результатом операції стане -128, оскільки для збереження правильного результату (+128) потрібно не менше 9 бітів (16 бітів у звичній комп’ютерній архітектурі).
Витік пам’яті відбувається, коли програма через помилку у своєму коді втрачає інформацію про раніше виділені для роботи ділянки пам’яті, внаслідок чого більше не може зберігати там дані та змушена для продовження функціонування виділяти все нові блоки пам’яті, доки не вичерпає весь доступний запас.
Помилка сегментації виникає, коли програма намагається отримати доступ до не дозволеного для неї блоку пам’яті або не дозволену операцію над своїм блоком.
Переповнення буфера означає, що програма записує дані в кінці свого виділеного простору, а потім продовжує писати дані в пам’ять, яка знаходиться безпосередньо після нього та могла бути виділена для інших цілей. Це може призвести до непередбачуваної поведінки програми, у тому числі помилки сегментації, отримання неправильних результатів, аварії або порушення безпеки системи. Така помилка є основою багатьох вразливостей програмного забезпечення і може бути зловмисно використана.

Ранні комп’ютерні системи[ред. | ред. код]

Перші комп’ютерні системи, як правило, зазначали розташування програм, щоб записати пам’ять і помістити туди дані. Це місце було фізичним розташуванням на наявному обладнанні пам’яті. Повільна обробка таких комп’ютерів не дозволялася для складних систем управління пам’яттю, що використовуються сьогодні. Крім того, так як більшість таких систем мали тільке одне завдання, складні системи стільки не вимагали.

Цей підхід має свої підводні камені. Якщо місце розташування вказане неправильно, це може призвести до того, що комп’ютер запише дані в якусь іншу частину програми. Результати помилок непередбачувані. У деяких випадках, неправильні дані могли перезаписати пам’ять, використовувану в операційній системі. Комп’ютерні хакери можуть скористатися цим, щоб створити віруси і шкідливі програми.

Віртуальна пам’ять[ред. | ред. код]

Віртуальна пам’ять являє собою систему, де вся фізична пам’ять управляється операційною системою. Коли програмі необхідна пам’ять, вона запрошує її з операційної системи. Потім операційна система вирішує де виділити фізичне місце, щоб помістити пам’ять.

Це дає ряд переваг. Програмісту більше не потрібно турбуватися про те, де пам’ять фізично зберігаються, або чи має комп’ютер користувача достатньо пам’яті. Це також дозволяє використовувати кілька типів пам’яті. Наприклад, деякий обсяг пам’яті може зберігатися в RAM фізичних чипів, а інша пам’ять зберігається на жорсткому диску. Це різко збільшує обсяг пам’яті, доступний для програм. Операційна система розміщує активно-використовувану пам’ять у фізичну оперативну пам’ять, що значно швидше, ніж жорсткий диск. Коли об’єму оперативної пам’яті не достатньо, щоб запустити всі поточні програми, це може призвести до ситуації, коли комп’ютер проводить більше часу рухаючи пам’ять з оперативної пам’яті на диск і назад, ніж вирішуючи завдання; це відомо як «пробуксовка^[en]».

Системи віртуальної пам’яті, як правило, включають в себе захищену пам’ять, але це не завжди так.

Захищена пам’ять[ред. | ред. код]

Захищена пам’ять — це система, де кожній програмі задається область пам’яті для використання і не дозволяється виходити з цього діапазону. Використання захищеної пам’яті значно підвищує як і надійність, так і безпеку комп’ютерної системи.

Без захищеної пам’яті, цілком можливо, що помилка в одній програмі змінить пам’ять, використовувану в іншій програмі. Це потягне за собою те, що інші програми запустяться з пошкодженою пам’яттю з непередбачуваними результатами. Якщо пам’ять операційної системи пошкоджена, вся комп’ютерна система може впасти і потрібне буде перезавантаження. Часом програми навмисне змінюють пам’ять, використовувану в інших програмах. Це робиться шляхом вірусів і шкідливих програм, щоб керувати комп’ютерами.

Захищена пам’ять призначає програмам свою власну область пам’яті. Якщо операційна система виявляє, що програма намагається змінити пам’ять, яка не належить до неї, програма завершується. Таким чином, як тільки програма виходить з ладу, це не впливає на роботу інших програм.

Захищені системи пам’яті майже завжди включають віртуальну пам’ять.

Стівен В. Міллер. Пам’ять і технології зберігання. — Монтвейл: AFIPS Press, 1977. — ISBN.
Пам’ять і технології зберігання. — Олександрія, Вірджинія: Time Life Books, 1988. — ISBN.

21.Пам’ять. Теорії пам’яті, види та процеси пам’яті.

Память
— когнитивный процесс, совокупность
процессов запоминания, организации,
сохранения, восстановления и забывания
обретенного опыта, позволяющие повторно
использовать его в деятельности или
возвратить в сферу сознания. Память
связывает прошлое субъекта с его
настоящим и будущим и является важнейшей
познавательной функцией, лежащей в
основе развития и обучения.

В самой
простой форме память реализуется как
узнавание
ранее воспринимавшихся предметов; в
более сложной форме память предстает
как воспроизведение
в представлении предметов, не данных в
восприятии актуально. Узнавание и
воспроизведение бывают произвольными
и непроизвольными.

Память
лежит в основе любого психического
явления. Без ее включения в акт познания
ощущения и восприятия будут переживаться
как впервые появившиеся, ориентировка
в мире и его познание станут невозможными.
Личность, ее отношения, навыки, привычки,
надежды, желания и притязания — существуют
благодаря памяти. Распад следов памяти
равноценен распаду личности: человек
превращается в живой автомат, способный
лишь реагировать на стимулы, действующие
в данный момент.

В ходе
онтогенетического развития способы
запоминания сменяются, возрастает роль
процессов выделения в запоминаемом
осмысленных, семантических связей.
Различные виды памяти — моторная,
эмоциональная, образная, словесно-логическая
— иногда описываются как этапы такого
развития. Установлена преимущественная
связь процессов в левом полушарии мозга
(у правшей) со словесно-логическими
способами запоминания, а в правом
полушарии — с наглядно-образными.

В
памяти выделяются три взаимосвязанных
процесса:

Запоминание
— активный процесс, посредством которого
происходит селективный отбор поступающей
информации для последующего воспроизведения
и включение ее в уже существующую
систему ассоциативных связей.
Сохранение
— фаза памяти, характеризующая
долговременное хранение воспринятой
информации в скрытом состоянии; процесс
в памяти — удержание в ней информации.
Воспроизведение
— процесс извлечения информации,
хранящейся в долговременной памяти,
актуализация ранее сформированного
психологического содержания (мыслей,
образов, чувств, движений) в условиях
отсутствия внешних актуально
воспринимаемых указателей.

В
зависимости от установки на длительность
сохранения выделяются память

Различие
этих видов памяти физиологически
подтверждается различными следами,
хранящими информацию.

По
материалу, сохраняемому памятью, ее
можно разделить на память

По
модальности сохраняемых образов — память
словесно-логическая и образная.

Среди
характеристик памяти выделяются такие
природные свойства, как:

скорость
запоминания — количество повторений,
нужное для удержания информации в
памяти;
объем
запоминания — количество материала,
доступного для воспроизведения по
прошествии некоторого времени после
его усвоения;
скорость
забывания — время, в течение коего
запомнившееся хранится в памяти;
длительность
сохранения;
точность.

Флеш-пам’ять — Вікіпедія

Типовий приклад флеш-пам’яті

Флеш-па́м’ять — це тип довготривалої комп’ютерної пам’яті, вміст якої можна видалити чи перепрограмувати електричним методом.

На відміну від англ. Electronically Erasable Programmable Read-Only Memory, дії стирання виконуються лише блоками, на які розділений весь об’єм флеш-пам’яті. У перших розробках флеш-пам’яті весь об’єм складався лише з одного блока, її чип повинен був очищуватись повністю за один раз. При значно меншій ціні та значно більших об’ємах флеш-пам’яті у порівнянні з EEPROM, вона стала домінантною технологією для випадків, коли потрібно довготривале, стійке збереження інформації. Приклади її застосування найрізноманітніші: від цифрових аудіоплеєрів, камер до мобільних телефонів і КПК. Флеш-пам’ять також використовується в USB флеш-дисках («пальчикового» або «переносного диску»), які зазвичай використовуються для збереження та пересилання даних між двома комп’ютерами. Деяку популярність вона отримала в геймерському світі, де часто використовували EEPROM’и або залежну від живлення SDRAM пам’ять для збереження інформації щодо прогресу гри.

Флеш пам’ять — це один з типів пам’яті, яка може на довготривалий час зберігати певну інформацію, зовсім не використовуючи живлення. Крім цього, флеш-пам’ять має високу швидкість доступу до даних (хоча вона не настільки висока як у DRAM), кращий опір до зовнішніх впливів (кінетичний шок, вібрація, температура) та менше енергоспоживання, ніж у жорстких дисків. Ці характеристики пояснюють популярність флеш пам’яті для приладів, що залежать від батарейного живлення. Носії пам’яті, виконані з використанням флеш-пам’яті (наприклад, карти пам’яті), набагато краще переносять зовнішні впливи та мають менший фізичний розмір, ніж інші носії даних (жорсткі диски, CD-ROM, DVD-ROM, магнітні стрічки).

Флеш-пам’ять зберігає інформацію в масиві «комірок», кожна з яких традиційно зберігає по одному біту інформації. Кожна комірка — це транзистор із плавним затвором. Новіші пристрої (інколи їх ще називають багатозарядними пристроями) можуть містити більше, ніж 1 біт в комірці, використовуючи два чи більше рівні електричних зарядів, розташованих при плавному затворі комірки.

У флеш-пам’яті типу NOR кожна комірка схожа на стандартний MOSFET (оксидний напівпровідниковий польовий транзистор), але у ній є не один затвор, а два. Як і будь-який інший польовий транзистор, вони мають контрольний затвор (КЗ), а, окрім нього, ще й інший — плавний (ПЗ), замкнений всередині оксидного шару. ПЗ розташований між КЗ і підкладкою. Оскільки ПЗ відокремлений власним заізольованим шаром оксиду, будь-які електрони, що попадають на нього відразу потрапляють в пастку, що дозволяє зберігати інформацію. Захоплені плавним затвором електрони змінюють (практично компенсують) електричне поле контрольного затвору, що змінює порогову напругу (V_п) затвору. Коли з комірки «зчитують» інформацію, до КЗ прикладають певну напругу, в залежності від якої в каналі транзистора протікатиме або не протікатиме електричний струм. Ця напруга залежить від V_п комірки, яка у свою чергу контролюється числом захоплених плавним затвором електронів. Величина порогової напруги зчитується і перекодовується в одиницю або нуль. Якщо плавний затвор може мати кілька зарядових станів, то зчитування відбувається за допомогою вимірювання сили струму в каналі транзистора.

Для запису інформації в «комірку» NOR необхідно зарядити плавний затвор. Цього досягають за допомогою тунельного ефекту, пропускаючи через канал транзистора порівняно високий струм, та подаючи на контрольний затвор підвищену напругу. При цьому виникають гарячі електрони, що мають достатню енергію для подолання оксидного шару та потрапляння на ізольований затвор.

Для очищення плавного затвору від електронів (стирання інформації) між контрольним затвором та стоком прикладають значну напругу зворотної, ніж при запису, полярності, яка створює сильне електричне поле. Захоплені плавним затвором електрони висмоктуються цим полем, тунелюючи крізь оксидний шар.

У приладах з однотипною напругою (теоретично всі чипи, які доступні нам сьогодні) ця висока напруга створюється генератором підкачки заряду. Більшість сучасних компонентів NOR-пам’яті розділені на чисті сегменти, які часто називають блоками чи секторами. Всі комірки пам’яті в блоці повинні бути очищені одночасно. На жаль, метод NOR може в загальному випадку обробляти лише одну частину інформації типу byte чи word.

NAND-пам’ять використовує тунельну інжекцію для запису і тунельний випуск для вилучення. NAND’ова флеш-пам’ять формує ядро легкого USB-інтерфейсу запам’ятовуючих приладів, які також відомі як USB-флешки.

Тоді, коли розробники збільшують щільність флеш приладів, індивідуальні комірки діляться і кількість електронів в будь-якій комірці стає дуже малою. Парування між суміжними плаваючими затворами може змінити характеристики запису комірки. Нові реалізації, такі як заряджені пастки флеш-пам’яті, намагаються забезпечити кращу ізоляцію між суміжними комірками.

Флеш-пам’ять (обидва типи — NOR та NAND) була винайдена доктором Фуджіо Масуока, коли він працював на компанію Toshiba у 1984 р. Якщо вірити Toshiba, назва «Флеш» прийшла на думку колезі доктора Масуока — містеру Шої Аріїзумі, оскільки процеси видалення вмісту пам’яті нагадували йому спалах фотокамери (англ. flash). Доктор Масуока репрезентував винахід у 1984 році на зустрічі про Міжнародні Електронні Прилади (IEDM), яка відбулася в місті Сан-Хосе, Каліфорнія. Intel побачив високий потенціал цього винаходу і випустив перший комерційний чип NOR флеш-пам’яті у 1988 році.

Пам’ять, що базується на NOR має довготривалі цикли запису-видалення інформації, проте повноцінний адресний/інформаційний інтерфейс, який дає довільний доступ до будь-якої локації. Це робить його ідеальним для збереження бінарного програмного коду, який не потрібно часто оновлювати. Прикладом є комп’ютерний BIOS або програмне забезпечення різноманітних приладів. Цей інтерфейс витримує від 10 000 до 1 000 000 циклів вилучення інформації. Цей тип пам’яті став базою найперших переносних медіа; CompactFlash з самого початку базувався на ньому, хоча потім перейшов на дешевший варіант — NAND пам’ять.

NAND-флеш-пам’ять, яку Toshiba представила на ISSCC у 1989 році стала наступною. У ній швидше проходять цикли видалення-запису, вона має більшу внутрішню мережу, меншу ціну, і в 10 раз міцніша за свого попередника. Проте її інтерфейс вводу/виводу надає лише послідовний доступ до інформації. Саме тому її можна використовувати для пристроїв запису масової інформації, таких, як PC карточки, різні карти пам’яті і, в дещо меншій мірі, для комп’ютерної пам’яті. Перша картка, що базувалась на форматі NAND була SmartMedia, а після неї з’явились: Multimedia Card, Secure Digital, Memory Stick та xD-Picture карти пам’яті. Нове покоління цих форматів стає реальністю з RS-MMC, мікро та miniSD варіанти Secure Digital і нова USB-карта-пам’яті Intelligent Stick. Нові формати поставляються в значно зменшених розмірах, зазвичай менше, ніж 4 см².

Одним обмеженням флеш-пам’яті є те, що хоча вона і може читати чи запрограмувати одиницю інформації типу байт чи word за один відрізок часу у вибірковому методі доступу, вона також повинна очистити «блок» за той самий час. Стандартно всі біти при такій операції в блоці замінюються на 1. Діючи вже із чистим блоком будь-яке місце в межах блоку може бути запрограмоване. Проте як тільки біт стане рівним 0, лише видалення всього блоку змусить його повернутись назад в положення 1. Іншими словами, флеш-пам’ять (особливо флеш NOR) пропонує вибірковий метод читання і програмування операцій, Але не може дозволити вибірковий метод перезапису чи видалення. Хоча місце в пам’яті може бути переписаним до того часу, поки нові значення нульових бітів є надмножиною перезаписаних значень. Наприклад, число, яке складається з чотирьох бітів може бути очищене до 1111 , тоді записане як 1110. Успішний запис до цього числа може змінити його на 1010, тоді на 0010, і нарешті на 0000. Хоча структура інформації у флеш-пам’яті не може бути оновлена в кардинально простими шляхами, вона дозволяє «видаляти» її члени, позначаючи їх невірними. Ця техніка повинна бути дещо вдосконалена для багаторівневих приладів, де одна комірка пам’яті тримає більш, ніж 1 біт.

Якщо порівнювати з вінчестером, іншим обмеженням є той факт, що флеш-пам’ять має скінченну кількість циклів запису-видалення (більшість комерційно доступних флеш-продуктів гарантують витримати 1 мільйон програмних циклів), тому це потрібно мати на увазі при переміщенні програм, розрахованих для вінчестера (наприклад операційні системи) на такі носії флеш-пам’яті, як CompactFlash.
Цей ефект — часткове зміщення деякими драйверами до файлової системи, які обраховують записи і динамічні переміщення блоків, щоб розтягнути операції запису між секторами, або які обраховують підтвердження запису і переміщення, щоб розтягнути сектори у випадку невдалого запису.

Ціна флеш-пам’яті залишається значно вищою ніж відповідна ціна вінчестера, і це (разом зі скінченністю кількості циклів запису-видалення, про яку згадано раніше) утримує флеш-пам’ять від того, щоб стати основною заміною вінчестерів на нормальних настільних комп’ютерах чи ноутбуках.

Доступ на низькому рівні[ред. | ред. код]

Низькорівневий доступ до фізичної флеш-пам’яті драйвером даного приладу відрізняється від доступу до інших типів пам’яті. Де звична RAM-пам’ять просто буде відповідати на запити читання та запису інформації і повертати результат цих операцій в ту ж мить, там флеш-пам’ять потребує додаткового часу, особливо коли використовується програмна пам’ять на кшталт ROM’а.

Коли зчитування даних може бути здійснене на індивідуальних адресах пам’яті NOR (але не NAND), операції розблокування (яка робить дії запису і видалення доступними), видалення і запису виконуються не однаково на різних видах флеш-пам’яті. Типовий розмір блоку становить 64, 128 або 256 Кб.

Одна група, яка носить назву ONFI (відкрита група по вдосконаленню NAND інтерфейсу) спрямована на розробку стандартизованого низькорівневого NAND- флеш-інтерфейсу, що зробить доступним можливість взаємодії між NAND-приладами від різних вендорів. Мета цієї групи включає розробку стандартизованого інтерфейсу на рівні чипа (схема розподілу виходів) для NAND-пам’яті, стандартний набір команд і механізм самоідентифікації. Специфікацію планують викласти в маси наприкінці 2006 року.

Пам’ять типу NOR[ред. | ред. код]

Режим читання NOR-пам’яті схожий до зчитування зі звичайної пам’яті, забезпечені адреси та шина даних вірно прив’язані, тому пам’яті типу NOR виглядають майже так само як і будь-яка залежна від адреси пам’ять. Флеш-пам’ять NOR може бути використана як пам’ять типу XIP (execute-in-place), а це означає що вона поводиться як ROM-пам’ять, прив’язуючись до конкретних адрес. Флеш-пам’ять NOR немає впорядкування внутрішніх поганих блоків, тому коли флеш-блок втрачає свою внутрішню структуру, тоді або програма, яка використовує його повинна вчинити деякі дії, або прилад зупиняє роботу.

Розблоковуючи, видаляючи чи записуючи на NOR пам’ять спеціальні команди записуються на першу сторінку прив’язаної пам’яті. Ці команди визначають Загальний Стандартний інтерфейс (CFI), заснований Intel’ом, і флеш-область представить список всіх доступних команд фізичного драйвера.

Крім використання в ролі оперативної пам’яті, NOR пам’яті можуть, звичайно, також бути розділені файловою системою і тоді використовуватись у будь-якому приладі. Проте файлові системи NOR зазвичай дуже повільні при записі, якщо порівнювати із файловими системами, які побудовані на NAND пам’яті.

Пам’ять типу NAND[ред. | ред. код]

NAND флеш-пам’яті не можуть забезпечити принцип «миттєвий запис» (XIP) через інші конструкційні принципи. Доступ до цієї пам’яті може бути здійснений методом блокових приладів, таких як вінчестери та карти пам’яті. Розмір блоків зазвичай має 512 або 2048 байт. В кожному блоці зарезервовано деяку кількість байт (зазвичай від 12 до 16), які зберігають різноманітні помилки і контрольну суму блоку.

Прилади типу NAND зазвичай залежать від програмної обробки блоків. Це означає, що коли зчитують логічний блок, він прив’язується до фізичного блоку, і що коли прилад має деяку кількість блоків, встановлених за своїми межами, вони встановлюються зі зміщенням, компенсуючи втрату поганих блоків і зберігають первинну і вторинну таблицю прив’язки.

Методи виправлення помилок та визначення контрольної суми зазвичай виявляють помилку, де один біт інформації в блоці невірний. Коли це трапляється, блок позначається як поганий в таблиці логічного розміщення, і його вміст (ще непошкоджений) копіюється у новий блок, а таблиця логічного розміщення знову змінюється. Якщо у пам’яті пошкоджено більш, ніж 1 блок, тоді вміст блоку практично втрачений, тобто стає неможливо відновити оригінальний вміст. Деякі прилади можуть навіть постачатись в комплекті з вже запрограмованою таблицею поганих блоків від виробника, оскільки деколи просто неможливо виробити безпомилкові пам’яті типу NAND.

Перший, вільний від помилок фізичний блок (блок № 0) завжди гарантує свою прочитність, і не може бути пошкодженим. З цього випливає, що всі життєво важливі вказівники для розподілення пам’яті і впорядкування поганих блоків приладу повинні бути розміщені всередині цього блоку (зазвичай вказівник на погані таблиці блоків, і т. д.). Якщо прилад використовується, щоб завантажувати ОС, цей блок повинен містити Таблицю завантаження (Master Boot Record).

Коли запускати програмне забезпечення з пам’яті NAND, використовується стратегія віртуальної пам’яті: вміст пам’яті спочатку нумерується, або просто копіюється в розподілену пам’ять RAM, а тоді вже звідти виконується.

З цієї причини деякі системи будуть використовувати комбінації пам’ятей NOR та NAND, де менша NOR пам’ять використовуватиметься як програмний ROM, а більша NAND пам’ять розбивається на розділи файловою системою, щоб зберігати різну інформацію.

Стандартні частини флеш-пам’яті (індивідуальні внутрішні компоненти, або «чипи») дуже сильно відрізняються в об’ємі інформації, від кібіта до гікабітів кожна. Чипи часто з’єднують в один, щоб досягнути вищих ємностей для використання в таких приладах як iPod nano або SanDisk Sansa e200. Місткість флеш чипів дотримується закону Мура, оскільки вони розроблені тими самими процесами, що використовуються й для вироблення інших інтегрованих циклів. Проте в даній технології були також стрибки поза законом Мура через різні інновації.

У 2005 році Toshiba та SanDisk розробили флеш чип типу NAND, який міг містити 8 гібібітів інформації, використовуючи технологію MLC (багаторівневі комірки), яка зберігала 2 біти інформації в одній комірці. У вересні 2005 року компанія Samsung Electronics анонсувала, що вона розробила перший у світі 16 гібібітний чип.

У березні 2006 року Samsung анонсує флеш вінчестери з місткістю у 32 гібібіти, по суті з таким самим розміром, як і в найменших вінчестерах ноутбуків. А у вересні 2006 року, Samsung анонсувала результат виготовлення 32 гібібітних чипів, розміром в 40 нм. [1]

Для деяких продуктів флеш пам’яті, таких як карти пам’яті та USB пам’ять, на середину 2006 року 256Мб-тові і продукти меншої місткості сильно знецінились. Ємність 1Гб стала звичною для людей, які не використовують флеш пам’ять екстенсивно, але все більше і більше клієнтів закуповуються 2-ма та 4-ма Гігабайтними флеш приладами. Hitachi має конкурентноспроможний механізм вінчестера (називається Microdrive), який може поміститись всередині оболонки звичайної карточки CompactFlash. Його ємність — до 8Гб. BiTMicro пропонує 155 Гігабайтний, товщиною у 3,5 дюйми, твердий диск, названий «Edisk»’ом.

На всесвітній виставці CES 2013 компанія Kingston Digital представила флеш-накопичувач під назвою DataTraveler HyperX Predator об’єм якої складає 1Тб, що на той час було абсолютним рекордом. Дана флешка сертифікована на новому стандарті SuperSpeed USB 3.0, що дозволяє передавати дані на швидкості до 10Gbps.

Флеш-пам’ять доступна у декількох швидкостях. Деякі визначають швидкість приблизно в 2 Мб/с, 12 Мб/с, і т. д. Проте інші карточки просто мають рейтинг 100×, 130×, 200×, і т. д. Для таких карток за 1× беруть швидкість 150 Кб/с. Це була швидкість, якою могли передавати інформацію перші CD прилади, і її запозичили флеш картки пам’яті. Хоча коли порівнювати 100× карточку до карточки, яка передає зі швидкістю в 12 Мб/с використовують такі перетворення:

150 КБ × 100 = 15 000 Кб/с

Щоб перетворити Кб в Мб, ділимо на 1024:

15 000Кб ÷ 1024 = 14,65 Мб/с

Хоча насправді 100x картки на 2.65 Мб/с швидші, ніж картки, які вимірюються у швидкості в 12 Мб/с.

Пошкодження інформації та її відновлення[ред. | ред. код]

Найбільшою поширеною помилкою втрати інформації картки флеш-пам’яті є те, що її витягують із пристрою, коли інформація ще продовжується писатись. Ситуація погіршується, якщо використовувати несумісні файлові системи, що не розроблені для приладів, які виймаються, або якщо існує асинхронізація (коли інформація ще стоїть в черзі на запис, а в той момент відключають пристрій).

В деяких випадках можливо відновити інформацію з флеш-пам’яті. Евристичний метод та метод Грубого втручання є прикладами відновлення, які можуть повернути загальну інформацію, збережену на карті флеш-пам’яті.

Виробники флеш-пам’яті[ред. | ред. код]

Определение памяти Merriam-Webster

Чтобы сохранить это слово, вам необходимо войти в систему.

mem · o · ry | \ ˈMem-rē , ˈme-mə- \

1a : способность или процесс воспроизведения или вспоминания того, что было изучено и сохранено, особенно с помощью ассоциативных механизмов

начал терять память по мере взросления

b : набор вещей, изученных и сохраненных в результате деятельности или опыта организма, о чем свидетельствует модификация структуры или поведения или припоминание и узнавание

обладает хорошей памятью на лица

2а : памятная память

воздвиг статую в память о герое

b : факт или условие того, что его помнят

дни недавней памяти

3a : конкретный акт воспоминания или воспоминания

не имеет памяти о событии

b : изображение или впечатление о том, что вспомнилось

любить воспоминаний о ее юности

c : время, в течение которого прошлые события могут быть или запомнены

в памяти живых людей

4a : устройство (например, чип) или компонент электронного устройства (например, компьютер или смартфон), в которое информация может быть вставлена и сохранена и из которого она может быть извлечена, когда особенно хотелось : RAM

b : емкость для хранения информации

512 мегабайт памяти

5 : емкость для отображения эффектов в результате прошлого лечения или для возврата к прежнему состоянию
—Используется, в частности, из материала (такого как металл или пластик)

о: память — Mozilla | MDN

about: memory — это специальная страница в Firefox, которая позволяет просматривать, сохранять, загружать и сравнивать подробные измерения использования памяти Firefox. Он также позволяет выполнять другие операции, связанные с памятью, такие как запуск GC и CC, дамп журналов GC и CC и дамп отчетов DMD. Он присутствует во всех сборках и не требует подготовки к использованию.

Как создавать отчеты о памяти

Предположим, вы хотите измерить использование памяти Firefox.Возможно, вы хотите исследовать это самостоятельно, или, возможно, кто-то попросил вас использовать about: memory для создания «отчетов о памяти», чтобы они могли исследовать вашу проблему. Следуй этим шагам.

В момент интереса (например, когда использование памяти Firefox стало высоким) откройте новую вкладку и введите «about: memory» в адресную строку и нажмите «Enter».
Если вы используете канал связи, по которому можно отправлять файлы, например Bugzilla или электронную почту, нажмите «Измерить и сохранить»… «. Это откроет диалоговое окно с файлом, которое позволит вам сохранять отчеты о памяти в файл по вашему выбору. (Имя файла будет иметь суффикс .json.gz ). Затем вы можете прикрепить или загрузить файл соответствующим образом. Получатели смогут просматривать содержимое этого файла в памяти about: memory в своем собственном экземпляре Firefox.
Если вы используете канал связи, по которому можно отправлять только текст, например ветку комментариев на веб-сайте, нажмите кнопку «Измерить …». Это приведет к созданию древовидной структуры текста в about: memory.Эта структура представляет собой просто текст, поэтому вы можете скопировать и вставить часть или весь этот текст в любой текстовый буфер. (Вам не нужно делать снимок экрана.) Этот текст содержит меньше измерений, чем файл отчетов о памяти, но часто его достаточно для диагностики проблем. Не нажимайте «Измерить …» повторно, потому что это приведет к увеличению использования памяти самой about: memory из-за того, что она отбрасывает и восстанавливает большое количество узлов DOM.

Обратите внимание, что в обоих случаях сгенерированные данные содержат конфиденциальные данные, такие как полный список веб-страниц, открытых на других вкладках.Если вы не желаете делиться этой информацией, вы можете установить флажок «анонимно» перед тем, как нажать «Измерить и сохранить …» или «Измерить …». Это приведет к удалению конфиденциальных данных, но это также может затруднить другим исследовать использование памяти.

Загрузка отчетов о памяти из файла

Самый простой способ загрузить отчеты о памяти из файла — использовать кнопку «Загрузить …». Вы также можете использовать кнопку «Загрузить и сравнить …», чтобы узнать разницу между двумя файлами отчетов о памяти.

Файлы отчетов по одной памяти также могут быть загружены автоматически при загрузке about: memory путем добавления строки запроса файла , например:

 о: памяти? File = / home / username / reports.json.gz

Это наиболее полезно при загрузке файлов отчетов о памяти, полученных с устройства Firefox OS.

Отчеты о памяти сохраняются в файл в виде сжатого сжатого файла JSON. Эти файлы могут быть загружены как есть, но их также можно загрузить после разархивирования.

Интерпретация отчетов памяти

Почти все, что вы видите в: memory, имеет пояснительную подсказку.Наведите указатель мыши на любую кнопку, чтобы увидеть описание ее функций. Наведите указатель мыши на любое измерение, чтобы увидеть его значение.

Основы измерения

В большинстве измерений в качестве единицы измерения используются байты, но некоторые являются счетчиками или процентами.

Большинство измерений представлено в виде деревьев. Например:

 585 (100,0%) - преференциальные услуги
 └──585 (100,0%) - референт
    ├──493 (84,27%) ── сильный
    └───92 (15,73%) - слабый
        ├──92 (15,73%) ── жив
        └───0 (00.00%) ── мертв

Листовые узлы представляют собой фактические измерения; значение каждого внутреннего узла — это сумма всех его дочерних узлов.

Использование деревьев позволяет разбивать измерения на дополнительные категории, подкатегории, подкатегории и т. Д. С произвольной глубиной, если это необходимо. Все измерения в одном дереве не перекрываются.

Пути к деревьям можно записывать с помощью символа «/» в качестве разделителя. Например, предпочтение / референт / слабый / мертвый представляет путь к конечному листу узла в примере дерева выше.

Поддеревья можно свернуть или развернуть, щелкнув по ним. Если вы обнаружите, что какое-то конкретное дерево непосильно, может быть полезно свернуть все поддеревья непосредственно под корнем, а затем постепенно расширять интересующие поддеревья.

Разделы

Отчеты памяти отображаются для каждого процесса, по одному процессу на раздел. В измерениях каждого процесса есть следующие подразделы.

Явное присвоение

В этом разделе содержится единое дерево, называемое «явным», которое измеряет всю память, выделенную с помощью явных вызовов функций распределения кучи (таких как malloc и new ) и функций выделения без кучи (таких как mmap и VirtualAlloc ).

Вот пример сеанса браузера, в котором вкладки были открыты для cnn.com, techcrunch.com и arstechnica.com. Различные поддеревья были расширены, а другие свернуты для демонстрации.

 191,89 МБ (100,0%) - явно
├───63.15 МБ (32.91%) - оконные объекты
│ ├──24,57 МБ (12,80%) - вверху (http://edition.cnn.com/, id = 8)
│ │ ├──20,18 МБ (10,52%) - активно
│ │ │ ├──10,57 МБ (05,51%) - окно (http://edition.cnn.com/)
│ │ │ │ ├───4,55 МБ (02,37%) ++ js-section (http: // edition.cnn.com/)
│ │ │ │ ├───2,60 МБ (01,36%) ++ макет
│ │ │ │ ├───1,94 МБ (01,01%) ── таблицы стилей
│ │ │ │ └───1,48 МБ (00,77%) - (2 крошечных)
│ │ │ │ ├──1,43 МБ (00,75%) ++ dom
│ │ │ │ └──0,05 МБ (00,02%) ── таблицы свойств
│ │ │ └───9,61 МБ (05,01%) ++ (18 крошечных)
│ │ └───4,39 МБ (02,29%) - js-zone (0x7f69425b5800)
│ ├──15,75 МБ (08,21%) ++ вверху (http://techcrunch.com/, id = 20)
│ ├──12,85 МБ (06,69%) ++ вверху (http://arstechnica.com/, id = 14)
│ ├───6,40 МБ (03,33%) ++ top (chrome: // browser / content / browser.xul, id = 3)
│ └───3,59 МБ (01,87%) ++ (4 крошечных)
├───45,74 МБ (23,84%) ++ js-non-window
├───33,73 МБ (17,58%) ── куча без классификации
├───22,51 МБ (11,73%) ++ накладные расходы кучи
├────6,62 МБ (03,45%) ++ изображений
├────5,82 МБ (03,03%) ++ рабочие / рабочие (хром)
├────5,36 МБ (02,80%) ++ (16 крошечных)
├────4,07 МБ (02,12%) ++ хранилище
├────2,74 МБ (01,43%) ++ кеш запуска
└────2,16 МБ (01,12%) ++ xpconnect

Требуется некоторый опыт, чтобы понять здесь все подробности, но есть несколько вещей, на которые стоит обратить внимание.

Это «явное» значение в корне дерева представляет всю память, выделенную посредством явных вызовов функций распределения.
Поддерево «оконные объекты» представляет все объекты окна JavaScript , включая вкладки браузера и окна пользовательского интерфейса. Например, поддерево «top (http://edition.cnn.com/, id = 8)» представляет вкладку, открытую для cnn.com, а «top (chrome: //browser/content/browser.xul , id = 3) "представляет главное окно пользовательского интерфейса браузера.
В измерениях каждого окна есть поддеревья для JavaScript ("js-section (...) "и" js-zone (...) "), макет, таблицы стилей, DOM и другие вещи.
Понятно, что вкладка cnn.com использует больше памяти, чем вкладка techcrunch.com, которая использует больше, чем вкладка arstechnica.com.
Поддеревья с именами типа «(2 крошечных)» - это искусственные узлы, вставленные для того, чтобы по умолчанию можно было свернуть незначительные поддеревья. Если вы установите флажок «Подробно» перед измерением, все деревья будут показаны полностью развернутыми, и никакие искусственные узлы не будут вставлены.
Поддерево «js-non-window» представляет использование памяти JavaScript, которое исходит не из окон, а из ядра браузера.
Значение «куча-неклассифицированная» представляет память, выделенную в куче, которая не измеряется никаким репортером памяти. Обычно это 10-20% от «явного». Если он становится выше, это означает, что следует добавить дополнительные репортеры памяти. DMD можно использовать для определения того, куда следует добавить эти репортеры памяти.
Есть измерения для другого контента, такого как изображения и рабочие процессы, а также для подсистем браузера, таких как кэш запуска и XPConnect.

Определено использование некоторой дополнительной памяти, как показано в следующем примере.

 ├───40,214,384 млрд (04,17%) - дополнения
│ ├──21 184 320 Б (02.20%) ++ {d10d0bf8-f5b5-c8b4-a8b2-2b9879e08c5d} / js-non-window / zone / zone (0x100496800) / section ([System Principal], jar: file: // /Users/njn/Library/Application%20Support/Firefox/Profiles/puna0zr8.new/extensions/%7Bd10d0bf8-f5b5-c8b4-a8b2-2b9879e08c5d%7D.xpi!/bootstrap.js (от: /addons/XPIProvider.jsm:4307))
│ ├──11,583,312 B (01.20%) ++ jid1-xUfzOsOFlzSOXg @ jetpack / js-non-window / zone / zone (0x100496800)
│ ├───5 574 608 млрд (00.58%) - {59c81df5-4b7a-477b-912d-4e0fdf64e5f2}
│ │ ├──5,529,280 млрд (00,57%) - оконные объекты
│ │ │ ├──4 175 584 B (00,43%) ++ top (chrome: //chatzilla/content/chatzilla.xul, id = 4293)
│ │ │ └──1 353 696 B (00,14%) ++ top (chrome: //chatzilla/content/output-window.html, id = 4298)
│ │ └─────45,328 B (00.00%) ++ js-non-window / zone / zone (0x100496800) / section ([System Principal], file: /// Users / njn / Library / Application% 20Support /Firefox/Profiles/puna0zr8.new/extensions/%7B59c81df5-4b7a-477b-912d-4e0fdf64e5f2%7D/components/chatzilla-service.js)
│ └───1 872 144 млрд (00,19%) ++ [email protected]/js-non-window/zones/zone (0x100496800)

Следует отметить еще несколько моментов.

Некоторые надстройки идентифицируются по имени, например, вкладка стилей дерева. Остальные идентифицируются только шестнадцатеричным идентификатором. Вы можете заглянуть в about: support, чтобы узнать, к какому надстройке относится тот или иной идентификатор. Например, 59c81df5-4b7a-477b-912d-4e0fdf64e5f2 - это Chatzilla.
Все использование памяти JavaScript для надстройки измеряется отдельно и отображается в этом поддереве.
Для надстроек, использующих отдельные окна, таких как Chatzilla, использование памяти этими окнами будет отображаться в этом поддереве.
Для надстроек, использующих оверлеи XUL, таких как AdBlock Plus, использование памяти этими оверлеями не будет отображаться в этом поддереве; вместо этого он будет в поддеревьях, не являющихся надстройками, и не будет идентифицирован как вызванный надстройкой.

`Другие измерения`

Этот раздел содержит несколько деревьев, включая многие, которые пересекают измерения в «явном» дереве.Например, в «явном» дереве все измерения DOM и макета разбиты по окну, но в «Других измерениях» эти измерения агрегированы в итоги для всего браузера, как показано в следующем примере.

 26,77 МБ (100,0%) - оконные объекты
├──14,59 МБ (54,52%) - макет
│ ├───6,22 МБ (23,24%) ── наборы стилей
│ ├───4,00 МБ (14,95%) ── предварительная оболочка
│ ├───1,79 МБ (06,68%) ── кадров
│ ├───0,89 МБ (03,33%) ── стиль-контексты
│ ├───0,62 МБ (02,33%) ── узлы-правила
│ ├───0.56 МБ (02.10%) ── предварительные контексты
│ ├───0,47 МБ (01,75%) ── строчные поля
│ └───0,04 МБ (00,14%) ── текстовые сообщения
├───6,53 МБ (24,39%) ── таблицы стилей
├───5,59 МБ (20,89%) - dom
│ ├──3,39 МБ (12,66%) ── элементы-узлы
│ ├──1,56 МБ (05,84%) ── текстовые узлы
│ ├──0,54 МБ (02,03%) ── другое
│ └──0,10 МБ (00,36%) ++ (4 крошечных)
└───0.06 МБ (00.21%) ── таблицы свойств

Некоторые из деревьев в этом разделе измеряют вещи, которые не пересекают измерения в «явном» дереве, например, в приведенном выше примере «предпочтение-услуга».

Наконец, в конце этого раздела приведены отдельные измерения, как показано в следующем примере.

 0,00 МБ ── холст-2d-пиксели
    5,38 МБ ── gfx-surface-xlib
    0.00 МБ ── gfx-текстуры
    0,00 МБ ── gfx-tile-отходы
          0 ── призрачные окна
  109,22 МБ ── выделено в куче
        164 ── кучи
    1.00 МБ ── heap-chunksize
  114,51 МБ ── зафиксировано в куче
  164.00 МБ ── в куче
      4.84% ── соотношение накладных расходов кучи
          1 ── URL-адреса хост-объекта
    0,00 МБ ── imagelib-surface-cache
    5.27 МБ ── js-main-runtime-временный-пик
          0 ── ошибки страницы-трудно
    203,349 ── page-faults-soft
  274,99 МБ ── резидент
  251,47 МБ ── резидент-уникальный
1103,64 МБ ── vsize

Следует отметить следующие измерения.

«резидент». Использование физической памяти. Если вы хотите, чтобы одно измерение суммировало использование памяти, это, вероятно, лучший вариант.
"vsize". Использование виртуальной памяти. Часто это намного больше, чем любое другое измерение (особенно на Mac).Это действительно важно только на 32-битных платформах, таких как Win32. Также существует «vsize-max-contiguous» (измеряется не на всех платформах и не показан в этом примере), который указывает на самый большой отдельный фрагмент доступного виртуального адресного пространства. Если это число мало, вполне вероятно, что выделение памяти не удастся из-за отсутствия виртуального адресного пространства довольно скоро.
Различные измерения, связанные с графикой ("gfx- *"). Измерения варьируются в зависимости от платформы. Графика часто является источником интенсивного использования памяти, поэтому эти измерения могут быть полезны для выявления таких случаев.

.Флэш-память

`- Простая английская Википедия, бесплатная энциклопедия`

Эта статья не имеет исходников . Вы можете помочь Википедии, найдя хорошие источники и добавив их. (август 2019)

Открытый USB-накопитель. Чип слева (у Samsung ) содержит флеш-память. Чип справа - это чип контроллера

Флэш-память - это запоминающее устройство для компьютеров и электроники.Чаще всего он используется в таких устройствах, как цифровые камеры, USB-накопители и видеоигры. Он был разработан в 1980-х годах на основе более ранней и похожей EEPROM.

Флэш-память отличается от ОЗУ, потому что ОЗУ является энергозависимым (не постоянным). При отключении питания ОЗУ теряет все свои данные. Flash может сохранять свои данные в неизменном виде без питания. Жесткий диск также является постоянным (энергонезависимым) хранилищем, но он громоздкий и хрупкий. Флэш-память - это один из видов энергонезависимой памяти с произвольным доступом. Он медленнее ОЗУ, но быстрее жестких дисков.Он широко используется в небольшой электронике, потому что он маленький и не имеет движущихся частей.

Основным недостатком флэш-памяти является то, что она дороже жестких дисков с таким же объемом памяти. Еще одна слабость - это количество раз, когда данные могут быть записаны в него. Данные можно читать с флэш-памяти сколько угодно раз, но после определенного количества операций «записи» «циклов записи» она перестанет работать. Большинство флеш-устройств рассчитаны примерно на 100 000 - 1 000 000 «циклов записи».

EEPROM имеет то же ограничение, что и флеш-память: устройства, изготовленные в 20-м веке, могли выдержать только около 100 000 циклов записи, которые позже увеличились до миллиона.Он дороже, чем флеш-память, поэтому редко используется для хранения более 128 КБ. Основное различие между EEPROM и флэш-памятью заключается в том, что большинство устройств EEPROM могут стереть любой байт памяти в любое время. Флэш-память может стереть за раз только весь кусок или «сектор» памяти. И EEPROM, и флэш-память имеют ограничение, заключающееся в том, что могут быть записаны только байты в «стертом» состоянии, что означает, что если пользователь хочет изменить только один байт флэш-памяти, весь сектор должен быть удален и перезаписан.Это означает, что флэш-память может изнашиваться быстрее, чем EEPROM. Некоторая флэш-память может хранить сотни гигабайт или даже терабайт. Многие из них выполнены в виде флешки.

Флэш-память используется в USB-накопителях, твердотельных накопителях, оперативной памяти компьютера (иногда), гибридных накопителях (малый SSD + жесткий диск), видеокартах и картах памяти.

.